AgilentLCR电桥4279A 1MHz C-V表
在测量半导体的电容和偏置电压特性方面，是提高测量质量和吞吐量的*佳解决方案。Agilent 4279A在扫描直流偏置电压的同时，可测量0.00001pF至1280.00pF范围的电容，基本精度为0.1%，显示分辨率为6位。因为偏置电压不确定度很低，所以在+/-38V范围内，电压精度达0.1%的内部可编程直流偏置扫描源可确保非常少的测量错误。这使Agilent 4279A成为了**表征和测试变容二极管、MOS二极管等的器件理想工具。测量时间具有三种可选模式：10ms、20ms和30ms/meas，以达到*大生产效率。Agilent 4279A的快速量程选择和高速GP-IB数据传输能力可以缩短测试时间。自动偏置极性控制特性有助于为被测件快速选择正确的极性偏置电压。这种新功能简化了输入/输出检查中的手动采样测试，并为自动测试系统提供了简单的极性控制方法。
主要技术指标
用于晶片掺杂的C-V测量
变容二极管的C-V表征和分类。
射频混频器和转换二极管的电容测试。
通过进厂检验的应用直流偏置测试电容器。
测量时间：10ms/20ms/30ms
测量精度：0.1%（20ms）
内部直流偏置：0至+/-38V，0.1%可编程扫描
测量范围：0.00001pF至1280pF

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